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对比2021年美光、三星、海力士大规模生产的初代DDR5内存芯片,其尺(chi)寸跨度为66.26平方毫米(mi)到72.21平方毫(hao)米之间。如此对比,长(zhang)鑫存储的初代(dai)DDR5产品与彼时国际巨头初代(dai)产(chan)品的面积参数相当(dang),或(huo)说明(ming)长鑫存储研发力不(bu)输国际巨头。
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这种情况并(bing)不少见,Galaxy S25 系列和 OnePlus 13 都采用(yong)了类(lei)似设计,用户需额外购买手机壳以获得磁吸功能(neng)。